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MRAMとは？

半導体メモリの最終進化形──MRAMが変える「記憶」の常識

「夢のメモリ」はどこまで現実になったのか

MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）は、従来の「電気」ではなく磁気（スピン）で情報を記憶する次世代半導体メモリです。

不揮発性（電源オフでも保持）、高速動作、高耐久性という特性から、長年「ユニバーサル・メモリ」として期待されてきました。

そして2025年以降、AI・EV・車載SoCの高度化を背景に、MRAMは“研究テーマ”から“実装技術”へと段階を進めています。本記事では、技術的優位性・市場拡大の実態・投資家が警戒すべき限界を整理します。

1. なぜMRAMなのか──メモリ階層の限界

現在のコンピュータは、高速だが揮発性のSRAM/DRAMと、低速だが不揮発性のNANDフラッシュを組み合わせて動いています。MRAMはこの分断を埋め、「高速 × 不揮発 × 高耐久」という特性で、特に組み込み領域（車載・産業・IoT）から置き換えを進めています。

主要メモリ性能比較

種類 揮発性 速度 耐久性 主用途
SRAM 揮発 超高速 無制限 CPUキャッシュ
DRAM 揮発 高速 無制限 主記憶
NAND 不揮発 低速 10³〜10⁵回 ストレージ
MRAM 不揮発 超高速 10¹⁰回以上 車載・制御

2. 技術進化の現在地

  • 5nm eMRAM：TSMC・Samsungが開発表明。SoC統合へ。
  • SOT-MRAM：書き込み電力を大幅削減。SRAM代替候補。
  • 耐熱性：150℃超動作が可能。EV・産業用途に適合。

3. 市場規模の現実

  • 2024年：約30〜42億ドル
  • CAGR：30%前後
  • 2034年予測：最大847億ドル

※eFlash代替とAI・車載ニーズが牽引。

4. 日本企業のポジション──「静かな勝者」

この分野で特筆すべきは、日本企業の実装力です。

  • ルネサス：1GHz動作MRAMマイコン（2025年）を発表
  • 車載・産業用途：信頼性重視市場で先行
  • 研究→製品：量産までの距離が短い

5. 投資視点の整理──「万能メモリ幻想」を捨てる

  • 大容量ストレージ用途ではNANDの優位は揺らがない
  • 製造コストと密度の壁は依然として存在
  • 用途は「置き換え」ではなく「最適配置」

MRAMは革命ではなく、
半導体構造を静かに更新する戦略技術です。

主要出典：TSMC / Samsung Roadmap, Renesas IR, IMARC Group, Precedence Research, 2025

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